GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
作者:标准资料网 时间:2024-05-20 14:54:19 浏览:9597
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基本信息
| 标准名称： | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 |
| 英文名称： | Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 2009-10-30 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 起草人： | 何友琴、马农农、丁丽 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 12页 |
| 计划单号： | 20070859-T-469 |
适用范围
本标准规定了硅和外延片表面Na、Al、K 和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na、Al、K 和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量,因此该方法与各金属的化学和电学特性无关。
本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的硅片。
本标准特别适用于位于晶片表面约5nm 深度内的表面金属沾污的测试。
本标准适用于面密度范围在(109~1014)atoms/cm2 的Na、Al、K 和Fe的测试。本方法的检测限取决于空白值或计数率极限,因仪器的不同而不同。
前言
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所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
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